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深圳市英威腾电气股份有限公司
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专利名称:绝缘栅双极型晶体管驱动保护电路
专利类型:
专利号:
ZL201210312339.6更多
交易方式:不限
参考价:面议
发布时间:2020-10-16
浏览次数:727
所属展会:第六届知交会暨地博会,第五届知交会暨地博会,2021知交会暨地理标志产品交易会,2020知交会
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本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管驱动保护电路,包括:信号传输电路,用于向门极驱动电路传输驱动信号;门极驱动电路,用于放大信号传输电路传输来的驱动信号,并利用放大的驱动信号驱动绝缘栅双极型晶体管工作;电压检测电路,用于当检测到绝缘栅双极型晶体管的集电极和发射极之间的电压超过设定电压阈值时,向阻断时间设定电路传递故障指示信号,电压阈值大于绝缘栅双极型晶体管的驱动电压;阻断时间设定电路,用于在接收到电压检测电路传递的故障指示信号后,向信号传输电路传递封锁信号;信号传输电路还用于,在接收到阻断时间设定电路传递的封锁信号后,封锁向门极驱动电路输出驱动信号。本发明方案有利于避免误报短路故障。

在电力电子装置如变频器、不间断电源(Uninterruptable Power System,UPS)等中,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为其主要的功率开关器件,其工作(包括驱动和保护)的可靠性将直接影响到整个电力电子装置的可靠性。目前,高压大功率IGBT的驱动电路在开通IGBT过程中集电极和发射极(Vce)电压下降慢,存在拖尾现象,开通后10usVce电压不能降到饱和电压,经常导致误报短路故障。
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